探测器类型

InGaAs PIN

波长响应范围

1100 - 1700 nm

响应度@1550nm

0.9 A/W

光敏面直径

300 μm

耦合方式

FC法兰盘

共模抑制比

>25 dB

RF OUTPUT1

RF带宽(-3dB)

150 MHz

50 MHz

5 MHz

0.3 MHz

0.1 MHz

转换增益(V/A)

0.6×103

0.6×104

0.6×105

0.6×106

0.6×107

饱和光功率(dBm)

7

-3

-13

-23

-33

线性范围(dB)

22

22

22

22

22

均方根噪声(RMS)

0.6

1.2

1.2

1.2

2.7

噪声等效功率(NEP)

90 pW/√Hz

22 pW /√Hz

3.2 pW /√Hz

4.1 pW /√Hz

1.6 pW /√Hz

输出电压范围(V)

±3 V

±4.5 V

MR OUTPUT2

转换增益(V/A)

1×104

饱和光功率(dBm)

0

线性范围(dB)

30

均方根噪声(mV)

0.6

输出电压范围(V)

±10